• <code id="cti2j"><nobr id="cti2j"></nobr></code>
          <object id="cti2j"></object>
          <code id="cti2j"></code>

        1. <strike id="cti2j"></strike>
            <code id="cti2j"></code>

            耐磨板(NM400,NM450,NM500)耐磨鋼板,耐磨鋼板廠家,定制切割加工,聊城佳鳴

            咨詢熱線:13396357367
            聯系我們
            銷售熱線:13396357367

            聊城佳鳴金屬制品有限公司

            電話:0635-2110938

            手機:13396357367

            聯系人:武林

            當前位置:首頁 > 新聞中心 > 鋼板知識 > 正文

            耐磨鋼板位錯缺陷的影響探究

            文章作者:聊城佳鳴金屬制品有限公司 來源:http://www.mrangelmovie.com 更新時間:2018/5/4 8:21:37

            結合耐磨鋼板實際的拉晶工藝,對氣孔的產生機理及其對缺陷尤其是位錯缺陷的影響進行探究。運用非接觸電阻率測量技術和光致發光譜技術(PL)對耐磨鋼板Fe雜質在InP晶片中的分布進行電學和光學表征;采用掃描電子顯微鏡觀察氣孔的形貌;采用X射線衍射技術(XRD)對氣孔周圍的結晶質量進行研究;使用能量色散譜技術(EDS)測量耐磨鋼板氣孔的成分;
            能譜儀(EDS)和熒光分光光度計對耐磨鋼板所制備產物的成分,含量和發光性質進行了表征。結果表明:采用該方法制備出的磷化銦納米線長短不同,最小直徑為20 nm。在合適的條件下,改變反應溫度、增加耐磨鋼板反應時間或改變堿溶液都可生長出高品質的磷化銦納米線。隨著半導體產業的不斷發展進步,化合物半導體材料InP表現出來的優勢越來越明顯。熔體的化學配比能夠影響晶體內部缺陷,從而決定著材料的性質。
            在富磷條件下制備InP單晶材料,更有利于實現非摻雜InP的半絕緣特性。而在富磷熔體中進行InP單晶生長時,單晶錠內產生大量的氣孔,嚴重影響了材料的性能。本文采用Huber腐蝕法和金相顯微鏡對晶片的位錯密度進行統計;使用透射偏振差分譜技術對晶片進行熱應力測試。非接觸電阻率測量和光致發光譜結果表明。

            一级a爱片免费视频观看,日本一级黄色视频,一级a爱大片免费视频